РАДИОСХЕМЫ   •   ЭЛЕКТРОСХЕМА


КОММЕНТАРИИ
Кольца любые, например К7х4х2 или 10 мм. С любыми работает. А эффективность +-20% погоды не делает.

Интересное описание дросселей. "Дроссели мотаем на маленьких ферритовых колечках по 10 витков", скажите хоть размеры колец, с диаметром провода как нить допрём сами. Можно ли так же использо...

\Вот -бы + на 10 секунд (или 100) еще и до 10 минут.

Обычный мосфет с диодом внутри 400 В на 12 А. Можно IRF640-IRF840.

Интересует транзистор полевой 117Y HFP11N40 нужен аналог.

Когда вы называете физическую величину полным названием, тогда пишется с маленькой - ньютон, паскаль, ом, ватт, герц, рентген, джоуль, кулон, тесла и пр.

Я тоже не понял, о чём пишет Wasilek, но фраза "Аккумулятор стоит стандартный свинцово-кислотный, на 6,3 В 4 А. Нетрудно подсчитать, что с ним накопленная мощность будет равняться 25 ватт" у...

Молодец, автор!
Мало того, что свой холодильник убивает, так еще и другим советует.
Главная оговорка - холодильник включать повторно в сеть можно только через 3-5 минут, а не через пару ...

Да, данные в миллиграммах. На один конденсатор. Про буквы не в курсе...

это показатели в одном конденсаторе? конденсатор к10-7в с буквой С иП,чем отличаются?спасибо!

РАДИОСХЕМЫ
электрическая схема блока питания
схема сварочный инвертор
радиомикрофон для прослушки
видеопередатчики своими руками
изготовление led лампы на светодиодах
преобразователи для фонарей
интересные устройства - автомагнитолы, модуляторы
подключение плеера mp3 в магнитолу
изготовление мощного унч на лампах
схема простой зарядки к аккумулятору
мощный бас - саб и фнч своими руками
устройство преобразователей для лампы КЛЛ
цена и продажа 3д монитор, 3д очки
аналоги микросхем, диодов, ламп

   Справочники радиодеталей »

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ


ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ


Полевой транзистор – это полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором ток, текущий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения  между затвором и истоком. Предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Полевые транзисторы применяются в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением, ключевых и логических устройствах, при изготовлении микросхем.

Принцип действия полевых транзисторов снован на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током, осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Поэтому эти транзисторы называют полевыми.

По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n- перехода и с изолированным затвором (МДП - или МОП - транзисторы): встроенным каналом и индуцированным каналом.

В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на полевые транзисторы с каналом р- типа и полевые транзисторы с каналом n- типа. Канал р- типа обладает дырочной проводимостью, а n- типа – электронной.

Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.

Устройство полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (каналом n- типа)

 

Условное обозначение полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n- типа (а), каналом р- типа (б)

 null

Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения. Электрод, через который в канал входят носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда - сток. Электрод, для регулирования поперечного сечения канала за счет управляющего напряжения - затвор.

 Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина  р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале. Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления (сечения) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n- переходом.

При напряжении Uзи = 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление наименьшее и ток Iс получается наибольшим. Ток стока Iс нач при Uзи = 0 называют начальным током стока. Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится весьма малым (десятые доли микроампер), называют напряжением отсечки Uзи отс.

 

 Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n- переходом

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с р-n- переходом и каналом n- типа, отражают зависимость тока стока от напряжения Uси при фиксированном напряжении Uзи: Ic = f(Uси) при Uзи = const.

 null

Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с р-п- переходом и каналом п- типа: а – стоковые; б –  стокозатворная 

Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость  канала оказывает влияние и управляющее напряжение Uзи, и напряжение Uси. При Uси = 0 выходной ток Iс = 0. При Uси > 0 (Uзи = 0) через канал протекает ток Ic, в результате создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Суммарное падение напряжения участка исток-сток равно Uси. Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, а следовательно, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих р-n- переходов сужаются и сопротивление канала становится высоким. Такое напряжение Uси называют напряжением насыщения Uси нас. При подаче на затвор обратного напряжения Uзи происходит дополнительное сужение канала, и его перекрытие наступает при меньшем значении напряжения Uси нас. В рабочем режиме используются пологие участки выходных характеристик. 

 Полевые транзисторы с изолированным затвором

 

У полевого транзистора с изолированным затвором (МДП - транзистор), затвор отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. МДП - транзисторы в качестве диэлектрика используют оксид кремния SiO2. Другое название таких транзисторов – МОП - транзисторы ( металл-окисел-полупроводник).

Принцип действия МДП - транзисторов основан на изменении проводимости поверхностного слоя полупроводника под воздействием поперечного электрического поля. Поверхностный слой, является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП - транзисторы выполняют двух типов – со встроенным каналом и с индуцированным каналом.


Конструкция МДП - транзистора со встроенным каналом n-типа. В исходной пластинке кремния р- типа с относительно высоким удельным сопротивлением, с помощью диффузионной технологии созданы две легированные области с противоположным типом электропроводности – n. На эти области нанесены металлические электроды – исток и сток. Между истоком и стоком имеется поверхностный канал с электропроводностью n- типа. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика. На этот слой нанесен металлический электрод – затвор. Наличие слоя диэлектрика позволяет подавать на затвор управляющее напряжение обеих полярностей.

 

При подаче на затвор положительного напряжения,создающимся электрическим полем дырки из канала будут выталкиваться в подложку, а электроны - из подложки в канал. Канал обогащается – электронами, и его проводимость увеличивается при возрастании ток стока . Это называется режим обогащения.

При подаче на затвор отрицательного напряжения, относительно истока, в канале создается электрическое поле, под влиянием которого электроны выталкиваются из канала в подложку, а дырки втягиваются из подложки в канал. Канал обедняется основными носителями заряда, проводимость уменьшается, а ток стока уменьшается. Такой режим транзистора называют режимом обеднения.

В таких транзисторах при Uзи = 0, если приложить напряжение между стоком и истоком (Uси > 0), протекает ток стока Iс нач, называемый начальным и, представляющий собой поток электронов.

null

Канал проводимости тока не создается, а образуется благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины, при приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно истока. При отсутствии этого напряжения канала нету, и между истоком и стоком n-типа расположен только кристалл р- типа, а на одном из р-n- переходов получается обратное напряжение. В этом состоянии сопротивление между истоком и стоком велико, и транзистор заперт. Но при подаче на затвор положительное напряжение, под влиянием поля затвора электроны будут перемещаться из областей истока и стока и из р- области к затвору. Когда напряжение затвора превысит пороговое значение Uзи пор, в поверхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок, и произойдет инверсия типа электропроводности, индуцируется токопроводящий канал n-типа, соединяющий области истока и стока. Транзистор начинает проводить ток. Чем больше положительное напряжение затвора, тем больше проводимость канала и ток стока. Транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения.

 

Условное обозначение МДП - транзисторов:

а − со встроенным каналом n- типа;

б − со встроенным каналом р- типа;

в − с выводом от подложки;

г − с индуцированным каналом n- типа;

д − с индуцированным каналом р- типа;

е − с выводом от подложки.

 

Статические характеристики полевых МДП - транзисторов.

При Uзи = 0 через прибор протекает ток, определяемый исходной проводимостью канала. В случае приложения к затвору напряжения Uзи < 0 поле затвора оказывает отталкивающее действие на электроны – носители заряда в канале, что приводит к уменьшению их концентрации в канале и проводимости канала. Вследствие этого стоковые характеристики при Uзи < 0 располагаются ниже кривой, соответствующей Uзи = 0.

При подаче на затвор напряжения Uзи >  0 поле затвора притягивает электроны в канал из полупроводниковой пластины р- типа. Концентрация носителей заряда в канале увеличивается, проводимость канала возрастает, ток стока Iс увеличивается. Стоковые характеристики при Uзи > 0 располагаются выше исходной кривой при Uзи = 0.

Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Uси. Ток Ic = 0 при Uси = 0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо  изменить полярность  напряжения на затворе относительно истока.

Параметры МДП - транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n- переходом. По входному сопротивлению МДП - транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n- переходом.


 

схемы включения

Полевой транзистор можно включать с общим истоком-а (ОИ), общим стоком-в (ОС) и общим затвором-б (ОЗ).

null



 Чаще всего применяется схема с ОИ. Каскад с общим истоком дает очень большое усиление тока и мощности. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем имеет ограниченное применение.

 

усилительный каскад на полевых транзисторах

 null

Схема усилителя, выполненного по схеме с ОИ.

Транзистор в режиме покоя обеспечивается постоянным током стока Iсп и соответствующим ему напряжением  сток-исток Uсип. Этот режим обеспечивается напряжением смещения на затворе полевого транзистора Uзип. Это напряжение возникает на резисторе Rи при прохождении тока Iсп (URи = Iсп Rи) и прикладывается к затвору благодаря гальванической связи через резистор R3. Резистор Rи, кроме обеспечения напряжения смещения затвора, используется также для температурной стабилизации режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя Iсп. Чтобы на резисторе Rи не выделялась переменная составляющая напряжения, его шунтируют конденсатором Си. Этим и обеспечивают постоянство коэффициента усиления каскада.





Поделитесь полезной информацией с друзьями:




Тут вы можете задать вопрос
Имя *:
Email:
Код *:

Советуем посмотреть новые интересные материалы:







АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО EINHELL

     Краткий обзор и фотографии фирменного автоматического зарядного устройства Einhell BT-BC 5.


ПИТАНИЕ СВЕТОДИОДОВ

ПИТАНИЕ СВЕТОДИОДОВ     Вопросы по питанию, долговечности и вольтамперной характеристики LED приборов.

РЕМОНТ КОЛОНОК MICROLAB

     Самостоятельный ремонт двухканальной акустики Microlab с сабвуфером.

АЭРОЗОЛИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

 АЭРОЗОЛИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ        Систематизированная справочная информация из различных источников по всем видам аэрозолей для радиолюбительской практики, фото и описание. Вторая часть.


LED ЛЕНТА СВЕТОДИОДНАЯ

     Особенности выбора, покупки, монтажа и эксплуатации современных китайских светодиодных лент.

РЕМОНТ ФОТОВСПЫШКИ SIGMA

РЕМОНТ ФОТОВСПЫШКИ SIGMA     Знакомство с IRGP, или замена импульсного ключевого транзистора в накамерной фотовспышке SIGMA EF-500 DG.


ДАТАШИТ
Например: TDA2030

РАДИОФОРУМЫ
металлоискатель своими руками
отзывы о сайте Радиоэлектроника
жучки и радиопередатчики
как сделать лазер из ДВД
схемы и сборка электромобилей
применение в самодельных элетрических схемах
самостоятельная сборка колонок
электросхемы на микроконтроллерах
сигнализации и другие схемы
сверхяркие светодиоды
самодельные охранные устройства
ремонт бытовой электроники
зарядка и обслуживание
схемы УНЧ на микросхемах
цена и продажа 3д телевизоров
проводка и автоэлектроника
схемы led сканеров dmx usb
универсальный для радиолюбителя
использование как блок управления
ТОП СХЕМ
ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМОБИЛЬНОГО АККУМУЛЯТОРА
СХЕМА СВАРОЧНОГО ИНВЕРТОРА
СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА СВОИМИ РУКАМИ
ОСТАНОВКА ЭЛЕКТРОСЧЁТЧИКА
ФМ МОДУЛЯТОР ДЛЯ АВТО
СХЕМА СВЕТОДИОДНОЙ ЛАМПЫ
ATX БЛОК ПИТАНИЯ - СХЕМА
САБВУФЕР СВОИМИ РУКАМИ
ФИЛЬТР ДЛЯ САБВУФЕРА
АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО
УСТАНОВКА АВТОСИГНАЛИЗАЦИИ СВОИМИ РУКАМИ

Светодиодный регулятор

Тестер стабилитронов

Диагностический адаптер авто

Ремонт зарядного 6-12 В

Солнечная министанция

Самодельный ламповый

Фонарики Police

Генератор ВЧ и НЧ





Социальные сети

Google+
© 2009-2014, "Электронные схемы самодельных устройств". Электросхемы для самостоятельной сборки радиоэлектронных приборов и конструкций. Полезная информация для начинающих радиолюбителей и профессионалов. Все права защищены.

Создать сайт бесплатно