Таблица с вариантами кодировки SMD радиодеталей по первым двум символами R1. Иногда бывают одинаковые по коду радиодетали, тогда нужно смотреть на тип корпуса и выбирать по подходящему. Тут приведена краткая справочная таблица расшифровки технических характеристик на разные микросхемы ОУ, диоды, супервизоры, инверторы, полевые и биполярные транзисторы и другие smd-детали, более подробно смотрите параметры в PDF даташитах через поиск сайта. Конечно постоянно появляются новые радиоэлементы, особенно от китайских производителей, так что справочник будет пополняться. Главная таблица кодов
|
код |
наименование |
функция |
корпус |
производитель |
|
|
BFR93 |
npn:12В/40 мА 5 ГГц |
sot23 |
Vishay |
|
R1 |
DMN2550UFA |
nМОП:20В/0,6А/500 мОм |
dfn0806-3 |
Diodes |
|
R1 |
PRTR5V0U2X |
защитный ESD диод 5,5В |
sot143B |
NXP |
|
R1 |
SI3401 |
pМОП: -30В/-4,2 А/65 мОм |
sot23 |
MCC |
|
R1x |
HSMS-8101 |
смесительный СВЧ диод Шоттки |
sot23 |
Avago |
|
R1## |
RP114K191D |
LDO: 1,9В/300 мА + autodischarge |
dfn4 |
Ricoh |
|
TR1000IPW |
контроллер IrDA |
tssop8 |
TI |
|
|
R10B |
REG710NA-5 |
преобр на ком.конденсаторах в 5 В |
sot23-6 |
TI |
|
R10C |
REG710NA-3.3 |
преобр на ком.конденсаторах в 3.3 В |
sot23-6 |
TI |
|
R10D |
REG710NA-3 |
преобр на ком.конденсаторах в 3,0 В |
sot23-6 |
TI |
|
R10F |
REG710NA-2,7 |
преобр на ком.конденсаторах в 2,7 В |
sot23-6 |
TI |
|
R10G |
REG710NA-2,5 |
преобр на ком.конденсаторах в 2,5 В |
sot23-6 |
TI |
|
R10H |
REG71055DDC |
преобр на ком.конденсаторах в 5,5 В |
tsot23-6 |
TI |
|
REG1117A-1.8 |
LDO 1.8 V/1 A |
D²PAK |
TI |
|
|
REF3312AIDCK |
микромощный ИОН: 1,25 В 30ppm |
sc70 |
TI |
|
|
MRA4003T |
диод: 300 В/1А |
sma |
ON Semi |
|
|
MRA4004T |
диод: 400 В/1А |
sma |
ON Semi |
|
|
R14A |
LM4120AIM5-2.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 2 В, ±0,2% |
sot23-5 |
TI |
|
R14B |
LM4120IM5-2.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 2 В, ±0,5% |
sot23-5 |
TI |
|
MRA4005T |
диод: 600 В/1 А |
sma |
ON Semi |
|
|
R15A |
LM4120AIM5-3.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 3В, ±0,2% |
sot23-5 |
TI |
|
R15B |
LM4120IM5-3.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 3В, ±0,5% |
sot23-5 |
TI |
|
R15 |
SI3415 |
pМОП: -20 В/-4А/50 мОм |
sot23 |
MCC |
|
R15 |
SIL3415 |
pМОП: -20 В/-4,0А/37 мОм |
sot23-6 |
MCC |
|
MRA4006T |
диод: 800 В/1А |
sma |
ON Semi |
|
|
R16A |
LM4120AIM5-3.3 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 3,3В, ±0,2% |
sot23-5 |
TI |
|
R164B |
LM4120IM5-3.3 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 3,3В, ±0,5% |
sot23-5 |
TI |
|
MRA4007T |
диод: 1000 В/1 А |
sma |
ON Semi |
|
|
R17A |
LM4120AIM5-4.1 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 4,1В, ±0,2% |
sot23-5 |
TI |
|
R17B |
LM4120IM5-4.1 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 4,1В, ±0,5% |
sot23-5 |
TI |
|
REF3318AIDCK |
микромощный ИОН: 1,8 В 30ppm |
sc70 |
TI |
|
|
R18A |
LM4120AIM5-5.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 5В, ±0,2% |
sot23-5 |
TI |
|
R18B |
LM4120IM5-5.0 |
прецизионный "bandgap" ИОН: 5В, ±0,5% |
sot23-5 |
TI |
|
ADR391RT/AUJ |
микромощный ИОН 2.5 В |
sot23-5/tsot5 |
ADI |
|
|
R1A |
LM4041AIM3-1.2 |
микромощный шунтовой ИОН 1,2В ind |
sot23 |
TI |
|
R1A |
UMT/SST/MMST3904 |
npn: 40 В/200 мА h21=100…300 |
sot323/sst3/sc59 |
Rohm |
|
ADR391BUJ |
микромощный ИОН 2.5 В: 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
R1B |
LM4041BIM3/7-1.2 |
микромощный шунтовой ИОН 1,2В ind |
sot23/sc70 |
TI |
|
LM4041CEM3/7-1.2 |
микромощный шунтовой ИОН 1,2В ind |
sot23/sc70 |
TI |
|
|
LM4041DEM3/7-1.2 |
микромощный шунтовой ИОН 1,2В ind |
sot23/sc70 |
TI |
|
|
ADR01AUJ |
микромощный ИОН 1.0 В 0,1% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
R1E |
LM4041EEM3/7-1.2 |
микромощный шунтовой ИОН 1,2 В ind |
sot23/sc70 |
TI |
|
ADR01BUJ |
микромощный ИОН 1.0В 0,05% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
R1G |
ADR02AUJ |
микромощный ИОН 5.0В 0,1% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
R1G |
ADR02BUJ |
микромощный ИОН 5.0В 0,06% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
LMV331IDBV |
стандартный компаратор |
sot23-5 |
TI |
|
|
ADR03AUJ |
микромощный ИОН 2.5В 0,2% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
ADR03BUJ |
микромощный ИОН 2.5В 0,1% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
ADR06AUJ |
микромощный ИОН 3.0В 0,2% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
ADR06BUJ |
микромощный ИОН 3.0В 0,1% 9ppm |
tsot5 |
ADI |
|
|
BFR93 |
npn:12 В/35 мА 5 ГГц |
sot23 |
NXP |
|
|
R1p |
PUMF11 |
pnp + "цифровой" npn: 50В/100 мА 22k/47k |
sot363 |
NXP |
|
R1P |
UMT/MMST2222A |
npn: 40 В/600 мА h21=100…300 |
sc70/sc59 |
Rohm |
|
BFP780 |
npn SiGe: 5 В/90 мА 1,5 ГГц |
sot343 |
Infineon |
|
|
PUMF11 |
pnp + "цифровой" npn: 50В/100 мА 22k/47k |
sot363 |
NXP |
|
|
AD1582ARTZ |
прецизионный ИОН: 2,5 В/20 мВ |
sot23 |
ADI |
При расшифровке кодов учитывайте, что символы "О" и "0" (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. А в этом материале можно посмотреть все типы, фотографии и размеры корпусов компонентов SMD
