Для расшифровки SMD деталей с первыми символами маркировки Y2, изучите таблицу функций и технических характеристик на различные датчики, стабилитроны, микросхемы, транзисторы, диоды, стабилитроны, АЦП и другие электронные детали. Более подробно изучайте их параметры в даташите. Если встречаются одинаковые по маркировке, но разные по функциям радиокомпоненты, смотрите на типоразмер корпуса и выбирайте по подходящему (ссылка под таблицей). Появляются и новые радиоэлементы, так что справочник будет пополняться. Тут есть общая таблица кодов
|
код |
наименование |
функция |
корпус |
производитель |
|
|
BZX84-C12 |
стабилитрон 12 В, 250 мВт |
sot23 |
Fairchild, Diodes |
|
Y2 |
CLY2 |
GaAs полевой: 9В/600 мА 3 ГГц |
mw6 |
Infineon |
|
Y2 |
SS8550/W |
pnp: 25 В/1,5 А |
sot23/323 |
Galaxy Semi |
|
Y2## |
R1210N522C |
повышающий dc-dc: 5,2В 100 кГц +LTD |
sot23-5 |
Ricoh |
|
BZX84-C68 |
стабилитрон 68В, 250 мВт |
sot23 |
NXP |
|
|
BZX84-C75 |
стабилитрон 75В, 250 мВт |
sot23 |
NXP |
|
|
TLVH432CDBVZ |
шунтовой ИОН: adj. 1,5% |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432IDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 1,5% ind |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432QDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 1,5% ind |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432ACDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 1% |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432AIDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 1% ind |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432AQDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 1% auto |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432BCDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 0,5% |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432BIDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 0,5% ind |
sot23 |
TI |
|
|
TLVH432BQDBZ |
шунтовой ИОН: adj. 0,5% auto |
sot23 |
TI |
|
|
BZX84-C12 |
стабилитрон 12 В, 250 мВт |
sot23 |
NXP |
|
|
BZX84-C12 |
стабилитрон 12 В, 250 мВт |
sot23 |
NXP |
|
|
BZX84-C12 |
стабилитрон 12 В, 250 мВт |
sot23 |
NXP |
При расшифровке маркировки учитывайте, что символы "О" и "0" (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. Часто в Китае выпускают детали не поддающиеся расшифровке – тут уже надо смотреть для подбора аналога по их месту и функции в схеме. По этой ссылке можно посмотреть все типы, фотографии и размеры корпусов радиокомпонентов SMD
